姓名：王占国
职位：名誉主席
个人简介：
962年毕业于南开大学物理系，同年到中科院半导体所工作。
1980－1983年瑞典隆德大学访问学者；1986年任半导体所研究员，材料室主任；
1990年被批准为博士生导师；
1990-1994任半导体所副所长；
1991-2001年，先后曾任国家高技术新材料领域专家委员会委员、常委、功能材料专家组组长，国家S-863计划纲要建议软课题研究新材料技术领域专家组组长；从1990年起先后任国际半导体和半绝缘材料、第7届国际化学束外延、国际缺陷识别与成象物理会议等6个顾问委员会委员，中科院半导体材料科学实验室主任，南京大学、西安交大、南开大学等6所高校兼职教授和北大、清华等多个国家、部门开放实验室学术委员会委员。第八届北京市人民政府专家顾问团顾问，中国材料学会常务理事，中国电子学会高级会员。半导体学报、人工晶体学报、材料导报等编委。1995年当选为中科院院士，现任技术学部常委。
研究领域： 长期从事半导体材料和半导体材料物理研究。其中，人造卫星用硅太阳电池辐照效应和电子材料、器件和组件的静态、动态和核瞬态辐照实验结果，为我国的航天事业发展和国防工程建设作出了贡献。在深能级物理和光谱物理研究方面取得了多项国际先进水平的成果。近年来，他领导的实验组又在应变自组装In(Ga)As/GaAs，In(Ga)As/InAlAs/InP等量子点（线）与 量子点（线）超晶格材料生长和大功率量子点激光器研制方面获得突破，并在该前沿领域占有一席之地。最近，他又提出了柔性衬底的概念，开拓了大失配材料体系研制的新方向。上述研究成果曾获中科院自然科学一等奖，中科院科技进步一, 二和三等奖，国家科技进步三等奖和国家重点科技攻关奖多项, 在国外重要学术刊物发表论文100多篇，被他人引用数百次.
